Производитель Номер продукта:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Подробное описание:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
12945086
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW65R115CFD7AXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
*
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 490µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1950 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW65R115
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AONS36303
MOSFET N-CH 30V 5X6 8DFN
IPLK60R360PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK
IPBE65R230CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
