Производитель Номер продукта:
IPW80R360P7XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPW80R360P7XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 84W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Инвентаризация:
47 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12822727
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPW80R360P7XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 280µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
930 pF @ 500 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
84W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3-41
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IPW80R360
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SP001633520
2156-IPW80R360P7XKSA1-448
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI90R1K0C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO262-3
TN0110N3-G-P002
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
IRL2505STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
