Производитель Номер продукта:
IQD005N04NM6CGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQD005N04NM6CGATMA1-DG
Описание:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Подробное описание:
N-Channel 40 V 58A (Ta), 610A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Инвентаризация:
4930 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12943342
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQD005N04NM6CGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
58A (Ta), 610A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
0.47mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 1.449mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
12000 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 333W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TTFN-9-U02
Упаковка / Чехол
9-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IQD005
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-IQD005N04NM6CGATMA1TR
448-IQD005N04NM6CGATMA1CT
448-IQD005N04NM6CGATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IQD016N08NM5CGATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
STP50N60DM6
MOSFET N-CH 600V 36A TO220
STN6N60M2
MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
