Производитель Номер продукта:
IQD063N15NM5CGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IQD063N15NM5CGATMA1-DG
Описание:
TRENCH >=100V
Подробное описание:
N-Channel 150 V 14.1A (Ta), 148A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Инвентаризация:
12994049
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IQD063N15NM5CGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14.1A (Ta), 148A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.32mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.6V @ 159µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TTFN-9-U02
Упаковка / Чехол
9-PowerTDFN
Базовый номер продукта
IQD063
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP005588872
448-IQD063N15NM5CGATMA1TR
448-IQD063N15NM5CGATMA1CT
448-IQD063N15NM5CGATMA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
G080P06T
MOSFET P-CH 60V 195A TO-220
FDBL86066-F085AW
MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
