Производитель Номер продукта:
IRF100B201
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF100B201-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
2527 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804128
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF100B201 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®, StrongIRFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 115A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
441W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-IRF100B201
IFEINFIRF100B201
SP001561498
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF6633ATR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFS17N20DTRL
MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
