Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF1010NSTRR
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF1010NSTRR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 55 V 85A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12805797
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF1010NSTRR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3210 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
180W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF1010NS(L)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
HUF75545S3ST
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6270
Номер части
HUF75545S3ST-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB60NF06T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1362
Номер части
STB60NF06T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRF1010NSTRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1660
Номер части
IRF1010NSTRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.67
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
PSMN7R6-60BS,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7953
Номер части
PSMN7R6-60BS,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB75NF75T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
967
Номер части
STB75NF75T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3714ZPBF
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IPS80R1K2P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23