IRF3709ZLPBF
Производитель Номер продукта:

IRF3709ZLPBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF3709ZLPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 87A TO262
Подробное описание:
N-Channel 30 V 87A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

12805217
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF3709ZLPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2130 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001574636
*IRF3709ZLPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
IPI90N04S402AKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
453
Номер части
IPI90N04S402AKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPP80N06S2L09AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRL3705NS

MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3303TRR

MOSFET N-CH 30V 33A DPAK

infineon-technologies

IRF7832Z

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO