Производитель Номер продукта:
IRF3711S
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3711S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
12823575
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3711S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2980 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF3711S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB80NF03L-04T4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
691
Номер части
STB80NF03L-04T4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.90
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF7452TR
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
BUK9C1R3-40EJ
MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
IXFH22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD
