Производитель Номер продукта:
IRF520NPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF520NPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
2234 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803285
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF520NPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
330 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF520
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001571310
2156-IRF520NPBF
*IRF520NPBF
IFEINFIRF520NPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF9530NSPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
IPP200N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
