Производитель Номер продукта:
IRF6613TR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6613TR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентаризация:
12809117
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6613TR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Ta), 150A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5950 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IRF6613TR1PBFTR
SP001528336
IRF6613TR1PBFCT
IRF6613TR1PBFDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF6613TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
International Rectifier
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
22143
Номер части
IRF6613TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.07
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB80N06S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
SPD07N60S5T
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPP80R280P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
