Производитель Номер продукта:
IRF6636
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6636-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Инвентаризация:
12803798
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6636 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 81A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.45V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2420 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ ST
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric ST
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
IRF6636TR
IRF6636CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
IPB180N10S402ATMA1
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB
