Производитель Номер продукта:
IRF6712STRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF6712STRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 68A (Tc) 2.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Инвентаризация:
12815239
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6712STRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 68A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 50µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1570 pF @ 13 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ SQ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric SQ
Базовый номер продукта
IRF6712
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
IRF6712STRPBFDKR
SP001529206
IRF6712STRPBF-DG
IRF6712STRPBFTR
IRF6712STRPBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR3707TRR
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
CSD17576Q5BT
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
IRF8113PBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
