Производитель Номер продукта:
IRF8113PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF8113PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
Подробное описание:
N-Channel 30 V 17.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Инвентаризация:
12815285
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF8113PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2910 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SO
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,800
Другие названия
SP001572234
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DN2450N8-G
MOSFET N-CH 500V 230MA TO243AA
CSD16570Q5BT
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
IPP100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
