Производитель Номер продукта:
IRF7171MTRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7171MTRPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 15A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 100 V 15A (Ta), 93A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Инвентаризация:
12802943
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7171MTRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
FASTIRFET™, HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Ta), 93A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2160 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MN
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,800
Другие названия
IRF7171MTRPBFCT
IRF7171MTRPBFTR
IRF7171MTRPBF-DG
IRF7171MTRPBFDKR
SP001559758
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSB056N10NN3GXUMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11611
Номер части
BSB056N10NN3GXUMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.63
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRFR3707TR
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
BUZ31HXKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3