Производитель Номер продукта:
IRF7526D1TR
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7526D1TR-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Инвентаризация:
12805964
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7526D1TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
FETKY™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.25W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Micro8™
Упаковка / Чехол
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF6665TR1
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRFB3307ZGPBF
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
