Производитель Номер продукта:
IRF7707GTRPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7707GTRPBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
12804193
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7707GTRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2361 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
IRF7707GTRPBFTR
IRF7707GTRPBFDKR
IRF7707GTRPBFCT
SP001565642
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3715Z
MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
IRF3805S
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRFS4410PBF
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
