Производитель Номер продукта:
IRF7726
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7726-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 7A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount Micro8™
Инвентаризация:
12804624
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7726 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
26mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2204 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.79W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
Micro8™
Упаковка / Чехол
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
80
Другие названия
*IRF7726
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IPI139N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
IRF7811A
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
