Производитель Номер продукта:
IRF7779L2TR1PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF7779L2TR1PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 150 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Инвентаризация:
12823470
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF7779L2TR1PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6660 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric L8
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric L8
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001575282
IRF7779L2TR1PBFTR
IRF7779L2TR1PBFDKR
IRF7779L2TR1PBFCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF7779L2TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4142
Номер части
IRF7779L2TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.80
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTA160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO263
IRLIZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 22A TO220AB FP
IRF7811ATRPBF
MOSFET N-CH 28V 11A 8SO
