IRF8010STRLPBF
Производитель Номер продукта:

IRF8010STRLPBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRF8010STRLPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D2PAK

Инвентаризация:

3480 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12802531
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRF8010STRLPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3830 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
260W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IRF8010

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800
Другие названия
IRF8010STRLPBFTR
IRF8010STRLPBFDKR
IRF8010STRLPBFCT
IRF8010STRLPBF-DG
SP001565774

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSB056N10NN3GXUMA1

MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON

infineon-technologies

IPU80R1K4CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3

infineon-technologies

IRF6216TRPBF

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO

infineon-technologies

IRF7210PBF

MOSFET P-CH 12V 16A 8SO