Производитель Номер продукта:
IRF9Z34NPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF9Z34NPBF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Подробное описание:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
78565 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12803318
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF9Z34NPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
620 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
68W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRF9Z34
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001560182
IFEINFIRF9Z34NPBF
2156-IRF9Z34NPBF
*IRF9Z34NPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC60R2K0C6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI45N06S409AKSA1
MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
IPI06CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
