Производитель Номер продукта:
IRFB11N50APBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB11N50APBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12806089
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB11N50APBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1423 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IRFB11N50APBF
SP001563792
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFB11N50APBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2122
Номер части
IRFB11N50APBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.98
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
IRFB11N50APBF-BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2600
Номер части
IRFB11N50APBF-BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.00
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
IPS70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
IRF5305STRR
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
