Производитель Номер продукта:
IRFB5615PBFXKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFB5615PBFXKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH
Подробное описание:
N-Channel 150 V 35A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
13000366
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFB5615PBFXKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1750 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
144W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
448-IRFB5615PBFXKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFB5615PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2529
Номер части
IRFB5615PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.79
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2991UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
DMN3061SWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
TSM60NB380CP
600V, 9.5A, SINGLE N-CHANNEL POW
