Производитель Номер продукта:
IRFSL59N10D
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFSL59N10D-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
Подробное описание:
N-Channel 100 V 59A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
12815463
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFSL59N10D Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRFSL59N10D
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF250P224
MOSFET N-CH 250V 96A TO247AC
DN3525N8-G
MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
IPA075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
