Производитель Номер продукта:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRLS4030-7PPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Инвентаризация:
12818562
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRLS4030-7PPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
11490 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
370W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK (7-Lead)
Упаковка / Чехол
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Технический паспорт и документы
Ресурсы для проектирования
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001568682
IRLS40307PPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPB039N10N3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
29647
Номер части
IPB039N10N3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.22
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
