Производитель Номер продукта:
ISC030N12NM6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISC030N12NM6ATMA1-DG
Описание:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Подробное описание:
N-Channel 120 V 21A (Ta), 194A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Инвентаризация:
12992706
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISC030N12NM6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Ta), 194A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.04mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 141µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5500 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TSON-8-3
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC030N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC030N12NM6ATMA1TR
448-ISC030N12NM6ATMA1DKR
448-ISC030N12NM6ATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISZ330N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISC037N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
