Производитель Номер продукта:
ISC037N12NM6ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISC037N12NM6ATMA1-DG
Описание:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Подробное описание:
N-Channel 120 V 19.2A (Ta), 163A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Инвентаризация:
6481 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12992709
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISC037N12NM6ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 6
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19.2A (Ta), 163A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.6V @ 111µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 60 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 214W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8 FL
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC037
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC037N12NM6ATMA1DKR
448-ISC037N12NM6ATMA1CT
448-ISC037N12NM6ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISZ106N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISC104N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
DMN2991UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
