ISC0703NLSATMA1
Производитель Номер продукта:

ISC0703NLSATMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

ISC0703NLSATMA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 13A/57A TDSON-8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 13A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8

Инвентаризация:

19253 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965581
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

ISC0703NLSATMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 57A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 15µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1400 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 44W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC0703N

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC0703NLSATMA1TR
SP005417423
448-ISC0703NLSATMA1DKR
448-ISC0703NLSATMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM260P02CX RFG

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO

vishay-siliconix

SI5406CDC-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

littelfuse

LSIC1MO120G0160

MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L

vishay-siliconix

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3