Производитель Номер продукта:
LSIC1MO120G0160
Product Overview
Производитель:
Littelfuse Inc.
Номер детали:
LSIC1MO120G0160-DG
Описание:
MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Инвентаризация:
12965591
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
LSIC1MO120G0160 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+22V, -6V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
890 pF @ 800 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-4L
Упаковка / Чехол
TO-247-4
Базовый номер продукта
LSIC1MO120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
-1024-LSIC1MO120G0160
18-LSIC1MO120G0160
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2323DS-T1
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
SIHFR1N60A-GE3
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
SQJQ112E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
