Производитель Номер продукта:
ISC0803NLSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISC0803NLSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 8.8A/37A 8TDSON
Подробное описание:
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 37A (Tc) 2.5W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Инвентаризация:
2433 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965939
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISC0803NLSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.8A (Ta), 37A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 18µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC0803N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC0803NLSATMA1DKR
448-ISC0803NLSATMA1TR
SP005430489
448-ISC0803NLSATMA1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
ISZ0804NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
ISZ0803NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
ISC0806NLSATMA1
MOSFET N-CH 100V 16A/97A TDSON