Производитель Номер продукта:
ISC0602NLSATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISC0602NLSATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 14A (Ta), 66A (Tc) 2.5W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Инвентаризация:
11602 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965946
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISC0602NLSATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™ 5
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta), 66A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 29µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1800 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-6
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
ISC0602N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
448-ISC0602NLSATMA1CT
SP005430396
448-ISC0602NLSATMA1DKR
448-ISC0602NLSATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS005P03P8ZT1G
MOSFET P-CH
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
