Производитель Номер продукта:
NTMFS005P03P8ZT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTMFS005P03P8ZT1G-DG
Описание:
MOSFET P-CH
Подробное описание:
P-Channel 30 V 15.3A (Ta), 164A (Tc) 900mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Инвентаризация:
12965962
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTMFS005P03P8ZT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15.3A (Ta), 164A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
112 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7880 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
900mW (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN, 5 Leads
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NTMFS005P03P8ZT1GTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHU7N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
SIRA14BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
