Производитель Номер продукта:
ISP75DP06LMXTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
ISP75DP06LMXTSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Подробное описание:
P-Channel 60 V 1.1A (Ta) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
1578 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806059
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISP75DP06LMXTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 77µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
120 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
ISP75D
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
2156-ISP75DP06LMXTSA1
SP004987274
ISP75DP06LMXTSA1-DG
INFINFISP75DP06LMXTSA1
448-ISP75DP06LMXTSA1DKR
448-ISP75DP06LMXTSA1CT
448-ISP75DP06LMXTSA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF3704ZCSTRRP
MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRFS3206TRRPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6623TRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
