Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPB03N60C3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPB03N60C3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12806513
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPB03N60C3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 135µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SPB03N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPB03N60C3ATMA1
HTML Спецификация
SPB03N60C3ATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SPB03N60C3ATMA1TR
SPB03N60C3INCT-NDR
SPB03N60C3INDKR
SPB03N60C3
SPB03N60C3INTR
SPB03N60C3INTR-DG
SPB03N60C3ATMA1DKR
SPB03N60C3INDKR-DG
SPB03N60C3ATMA1CT
SPB03N60C3INCT
2156-SPB03N60C3ATMA1-ITTR
SPB03N60C3XT
SPB03N60C3XTINCT-DG
SPB03N60C3XTINTR-DG
SPB03N60C3XTINTR
SPB03N60C3INCT-DG
SP000013517
SPB03N60C3XTINCT
INFINFSPB03N60C3ATMA1
SPB03N60C3INTR-NDR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB6N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
11994
Номер части
STB6N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.57
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLML2502GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
TN2106K1-G
MOSFET N-CH 60V 280MA TO236AB
ISP13DP06NMSATMA1
MOSFET P-CH 60V SOT223
SPA07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP