Производитель Номер продукта:
SPB11N60C3ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPB11N60C3ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Инвентаризация:
2703 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12806600
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPB11N60C3ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 500µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3-2
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SPB11N60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SPB11N60C3
SPB11N60C3ATMA1TR
SPB11N60C3INDKR
SPB11N60C3XTINTR-DG
SPB11N60C3XTINTR
SPB11N60C3ATMA1DKR
SPB11N60C3INDKR-DG
SPB11N60C3XT
SPB11N60C3INCT-NDR
SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3INTR
SPB11N60C3XTINCT-DG
SPB11N60C3INTR-NDR
SPB11N60C3ATMA1CT
SP000013519
SPB11N60C3INCT-DG
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3INTR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTA14N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
235
Номер части
IXTA14N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.12
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
R6011ENJTL
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
R6011ENJTL-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.56
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB13NM60N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1000
Номер части
STB13NM60N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.21
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCB11N60TM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
135
Номер части
FCB11N60TM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.43
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STB13N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2210
Номер части
STB13N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.86
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRL3714Z
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
SPP08N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
