Производитель Номер продукта:
SPB18P06P
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPB18P06P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
12816252
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPB18P06P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
81.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SPB18P
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SPB18P06PT
2156-SPB18P06P-ITTR
INFINFSPB18P06P
SP000012329
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPB18P06PGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2030
Номер части
SPB18P06PGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRF7453
MOSFET N-CH 250V 2.2A 8SO
IRF7780MTRPBF
MOSFET N-CH 75V 89A DIRECTFET
