Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPB18P06PGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPB18P06PGATMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
2030 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13064319
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
g
M
D
b
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPB18P06PGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS®
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18.7A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
81.1W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SPB18P06
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPB18P06PGATMA1
HTML Спецификация
SPB18P06PGATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000102181
SPB18P06P G-ND
SPB18P06PGINDKR-ND
SPB18P06PGINDKR
SPB18P06PGINTR-ND
SPB18P06PGXT
SPB18P06PGINCT-ND
SPB18P06PGATMA1CT
SPB18P06PGINCT
SPB18P06PGATMA1TR
SPB18P06PGATMA1DKR
2156-SPB18P06PGATMA1
IFEINFSPB18P06PGATMA1
SPB18P06P G
SPB18P06PGINTR
SPB18P06PG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
SPP80N10L
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
SPA06N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP
BUK954R4-80E,127
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB