Производитель Номер продукта:
SPI70N10L
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPI70N10L-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Инвентаризация:
12807822
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPI70N10L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
16mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4540 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3-1
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
SPI70N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000014005
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
SPD30N06S2L-23
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
SPB42N03S2L-13 G
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
