Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SPP03N60C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP03N60C3XKSA1-DG
Описание:
LOW POWER_LEGACY
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12814953
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP03N60C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 135µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP03N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SPP03N60C3XKSA1
HTML Спецификация
SPP03N60C3XKSA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000681018
2156-SPP03N60C3XKSA1-IT
INFINFSPP03N60C3XKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPA17N80C3XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
500
Номер части
SPA17N80C3XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.06
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD18536KCS
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
CSD25211W1015
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
IRL2505SPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON