Производитель Номер продукта:
SPP07N60S5HKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP07N60S5HKSA1-DG
Описание:
LOW POWER_LEGACY
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
12806966
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP07N60S5HKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
970 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP07N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
SP000012115
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP60R120P7XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPP60R120P7XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.49
Тип замещения
Direct
Номер детали
STP10N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
990
Номер части
STP10N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.51
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF8707GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
IRLR8503TRPBF
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
