Производитель Номер продукта:
SPP11N80C3XKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPP11N80C3XKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Инвентаризация:
6913 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807478
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPP11N80C3XKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 680µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1600 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-3-1
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SPP11N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP000683158
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3IN-NDR
SPP11N80C3IN-DG
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3XTIN-DG
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
