Производитель Номер продукта:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
SPW55N80C3FKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Инвентаризация:
450 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12807852
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SPW55N80C3FKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ C3
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
54.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 3.3mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
288 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7520 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SPW55N80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SPD03N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
SPB08P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
SPP100N03S203
MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
