AUIRF3205ZS
Производитель Номер продукта:

AUIRF3205ZS

Product Overview

Производитель:

International Rectifier

Номер детали:

AUIRF3205ZS-DG

Описание:

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Инвентаризация:

1650 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946806
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

AUIRF3205ZS Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
55 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
237
Другие названия
2156-AUIRF3205ZS
INFIRFAUIRF3205ZS

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDP39N20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMS4435BZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

fairchild-semiconductor

FQD1N60CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD6688

MOSFET N-CH 30V 84A DPAK