Производитель Номер продукта:
AUIRF7675M2TR
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
AUIRF7675M2TR-DG
Описание:
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Подробное описание:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
Инвентаризация:
2988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946055
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
EUCy
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AUIRF7675M2TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
56mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric M2
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric M2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
267
Другие названия
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3