Производитель Номер продукта:
IRF430
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRF430-DG
Описание:
500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Подробное описание:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Инвентаризация:
7370 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946711
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF430 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
610 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
75W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-204AA (TO-3)
Упаковка / Чехол
TO-204AA, TO-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
198
Другие названия
2156-IRF430
IRFIRFIRF430
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC8327L
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQPF5N90
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD6612A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
