Производитель Номер продукта:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRF6662TRPBF-DG
Описание:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Инвентаризация:
9118 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947335
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6662TRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.9V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1360 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MZ
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MZ
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
253
Другие названия
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
