Производитель Номер продукта:
PMN30UNE115
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PMN30UNE115-DG
Описание:
NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 4.8A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
12947355
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PMN30UNE115 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
36mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
0.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
558 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SC-74, SOT-457
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,402
Другие названия
2156-PMN30UNE115
NEXNXPPMN30UNE115
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDS6692A
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
PHB110NQ08T,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
