Производитель Номер продукта:
PHB110NQ08T,118
Product Overview
Производитель:
NXP USA Inc.
Номер детали:
PHB110NQ08T,118-DG
Описание:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 75 V 75A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
750 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947364
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PHB110NQ08T,118 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка
Bulk
Серия
TrenchMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
75 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
113.1 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4860 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
260
Другие названия
2156-PHB110NQ08T,118
NEXNXPPHB110NQ08T,118
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
PMPB85ENEA/F,115
PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL
FQI4N90TU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
