FDS6692A
Производитель Номер продукта:

FDS6692A

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDS6692A-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Подробное описание:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Инвентаризация:

1731 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947363
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDS6692A Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1610 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.47W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
582
Другие названия
2156-FDS6692A
FAIFSCFDS6692A

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

nexperia

PMPB85ENEA/F,115

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL

fairchild-semiconductor

FQI4N90TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4