Производитель Номер продукта:
IRF6726MTRPBF
Product Overview
Производитель:
International Rectifier
Номер детали:
IRF6726MTRPBF-DG
Описание:
IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Подробное описание:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Инвентаризация:
3965 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946629
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF6726MTRPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
32A (Ta), 180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.35V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6140 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DIRECTFET™ MT
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric MT
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
199
Другие названия
2156-IRF6726MTRPBF
INFIRFIRF6726MTRPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDPF44N25TRDTU
MOSFET N-CH 250V 44A TO220F
FQPF7N80C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
FQB6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
