Производитель Номер продукта:
IXFA4N100P
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXFA4N100P-DG
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Подробное описание:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Инвентаризация:
12819527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXFA4N100P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
HiPerFET™, Polar
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1000 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1456 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AA (IXFA)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IXFA4N100
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFBF30STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
911
Номер части
IRFBF30STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.50
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXFT13N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A TO268
IXFR200N10P
MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
IXTP180N085T
MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB